仪器型号：赛默飞 Helios 5 UC

主要性能指标：
1. 离子束成像与微加工交叉点分辨率：2.5nm@30Kv（selective-edge平均值法测量方式）;
2. 2.SEM分辨率：0.6nm@15kV；0.7nm @1kV;
3. 液态Ga离子源，离子束成像及微加工加速电压0.5kV-30 kV，束流强度1pA-100nA;
4. SEM加速电压350V-30KV连续可调，着陆电压20V-30kV，束流强度0.8pA-100nA;
5. 载有布鲁克能谱仪。

功能：集成像、加工、三维重构于一体，适合微电子、半导体、地质等领域的复杂样品处理（如 TEM 样品制备、三维成分分析）。